【fbi突然出动，抓住了潜伏其内十年的卧底。】
【fbi抓住一名卧底，疑似华国人？】
【近日fbi抓住一名卧底，在庭审前日晚畏罪自杀】
【卧底自杀？还是另有原因！】
……
一条条相关的新闻，开始争抢起了各种头条。
这样的新闻，不得不引起人们的注意，卧底？
还有卧底畏罪自杀？
对于这样的消息，每个看到的人都感到震惊。
华国国内，在网络上讨论的人也很多，都不知道这个卧底是否真的是他们的人。
毕竟这些都只是从国外传出的消息，没有人知道详情。
而相比较这个政治上的事情，对于半导体界人来说，却更加关注另外一条消息。
国外的制裁技术又加上了几条，一条，准激光发射器。
这个东西，是光刻机光源中十分必要的一个部件。
其主要就是利用二氧化碳激光器发射出极高能的激光，输出超过30kw平均功率的激光束，脉冲峰值最高可达几兆瓦，然后如此高能的激光，击打在不断从上方滴下的锡珠上，然后使其发射出波长为13.5nm的极紫外光。
而想要在二氧化碳激光器上实现如此高的功率，普通的技术完全行不通，而华国当前的二氧化碳激光器在功率上并不能达到这种要求，而需要知道的是，这个功率，最终影响的就是euv光源的实际功率。
如果euv光源没有足够大的功率，对他们的影响，十分之大。
此外，还有其他几种euv光源中较为重要的传感器也遭到了制裁。
这样一来，他们再想要研发光刻机，就必须先在这些方面实现突破，否则光源搞不出来，全部都白搭。
一时之间，华国半导体界，又掀起了一片唱衰的声音。
要是继续一个一个地搞下去，他们得花多少时间？
到时候国外说不定早就找到了能够突破现有光刻机的技术了。
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而除了这些和光刻机技术有关的东西之外，国外又在原材料之一的光掩膜版上面进行了制裁，光掩膜版是光刻流程中同样十分重要的东西，只有通过掩膜版，极紫外光才能实现直接光刻。